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直拉单晶硅热场综合性能参数解析
2014-11-26 10:16:50

       凯迪碳素集团从2004年起开始研发生产直拉单晶硅热场,国内外电池生产厂家一直都有很好的合作,在性能以及工艺中渐渐优化出最佳的性能参数,从事开发直拉单晶硅热场团队从开始的5人团队一直到现在的10人研发团队,凯迪碳素生产制造的直拉单晶硅热场提升温度快,安全性高,保温性能持久,温度稳定,通过国际ISO质量体系认证。下面我介绍一下凯迪碳素直拉单晶硅热场性能参数:

 

以上图片是单晶硅热场解剖图

 

 

以上是单晶硅多晶硅热场模型图,和功能部件解析。

 

以上图片是直拉单晶硅生长炉成产品图片。

 

凯迪碳素直拉单晶硅热场性能热点介绍:

在拉制单晶硅、锗和III/V族化合物单晶的装置中通常会用到高纯度石墨和炭-炭复合材料,如石墨坩锅,加热器、保温筒和导流筒等。TOYO品牌等静压石墨采用CIP(冷等静压)的生产工艺,具有高强度、低消耗、结构细密、理化特性均匀等特性。对于特殊要求的客户,还可提供杂质含量小于10PPM和表面处理的石墨部件和炭-炭部件。

     熔炼炉主要由晶体提拉控制系统、晶体旋转控制系统、真空泵操作控制系统、晶体生长温度控制系统等几部分组成操作控制系统、晶体生长温度控制系统等几部分组成。采用先进的驱动、传动技术及配套装置;采用特殊工艺及材料制作的密封装置;采用可靠的水冷系统装置;使籽晶杆运转平稳,无爬行和振动。同时采用了高精度可编程的炉温控制装置,实现了炉温自动控制。并设有手动快速升降装置,使用方便,是生长高熔点人工晶体的理想设备。

主要技术参数

 

 

名 称 单 位 指标数
最高炉温 2100
籽晶杆拉速 mm/h  0.5~60
籽晶杆转速 rpm 1~50
籽晶杆行程 mm 600
冷炉极限真空度 Pa 6.67x10-3 
冷却水压 MPa 0.15~0.2