在拉制单晶硅、锗和III/V族化合物单晶的装置中通常会用到高纯度石墨和炭-炭复合材料，如石墨坩锅，加热器、保温筒和导流筒等。TOYO品牌等静压石墨采用CIP(冷等静压)的生产工艺，具有高强度、低消耗、结构细密、理化特性均匀等特性。对于特殊要求的客户，还可提供杂质含量小于10PPM和表面处理的石墨部件和炭-炭部件。

     熔炼炉主要由晶体提拉控制系统、晶体旋转控制系统、真空泵操作控制系统、晶体生长温度控制系统等几部分组成操作控制系统、晶体生长温度控制系统等几部分组成。采用先进的驱动、传动技术及配套装置;采用特殊工艺及材料制作的密封装置;采用可靠的水冷系统装置;使籽晶杆运转平稳，无爬行和振动。同时采用了高精度可编程的炉温控制装置，实现了炉温自动控制。并设有手动快速升降装置，使用方便，是生长高熔点人工晶体的理想设备。

主要技术参数